Descriçion di produti

Erta-Rescistensa A grafite d’erta purezza a l’é un materiale de carbònio avansou raffinou da un proçesso particolâ, e seu caratteristiche prinçipæ son unn’erta purezza de carbònio e unn’eccellente rescistensa mecanica.

Feuggio de dæti de rescistensa da grafite d'erta purezza e erta rescistensa

Fonçion	obiettivo	osservaçioin
Rescistensa a-a flescion	50-150MPa (some super strong class>200MPa)	Ognidun o l'à unna grafite omogenea ciù erta
Rescistensa a-a comprescion (Compressiva)	100-300 MPa	The retention rate at high temperature is>80%
Mòdolo elastico (de Young)	10-30 GPa	I materiali anisotròpichi an da ëse scompartii inte direçioin
Tegnua pe-a frattua (K_IC)	1,5-3,0 MPa·m^1/2	2-3 vòtte ciù erto che a grafite ordinäia

Fattoî d’influensa: matëia primma, proçesso de modellatua, graddo de grafitizzaçion.

Nòtta: i produti sostëgnan a personalizzaçion personalizzâ.

Avvantaggi ciave

(1) Prestaçioin stabile inte condiçioin estremme: peuan fonçionâ de mainea affidabile pe tanto tempo inte di ambienti industriæ estremamente duî comme erta temperatua, erta prescion, veuo, corroxon, erta tenscion e erta corrente.

(2) Duâ de serviçio esteisa: l'erta rescistensa e a rescistensa à l'usura megioan scignificativamente a duâ de serviçio di componenti inte di ambienti à erta temperatua ò inte condiçioin d'usura.

(3) Megioâ a preçixon do contròllo do proçesso: l'erta purezza a l'assegua o proçesso sensa inquinamento, a bassa espanscion termica e l'erta conduttivitæ termica promeuvan o rescädamento uniforme e o contròllo preçiso da temperatua.

(4) Asseguâ a qualitæ do produto finale: inti campi semiconduttoî, crescita de cristalli e atri, schivâ i difetti do produto provocæ da l’introduçion de impuritæ materiale.

(5) Erta affidabilitæ e seguessa: basso tasso de difetto (bassa poroxitæ), prestaçioin stabile, soddisfan i streiti requixii de seguessa e affidabilitæ de l'industria de livello erto.

Erta-Rescistensa Erta-Standard de puritæ da grafite de puritæ

Pe-o sòlito o l’à de beseugno d’ëse ciù grande ò pægio a-o 99,99% (4N) e pe-e applicaçioin de livello erto (comme i semiconduttoî) ghe veu ciù grande ò pægio a-o 99,999% (5N).